IGBT-MOSFET 병렬 스위치를 이용한 고효율 직류-직류 변환기

IGBT는 전압정격 및 전류특성이 높고 도통손실이 낮아서 스위칭 전원장치에 많이 쓰이고 있는 추세에 있다. 그러나 IGBT는 MOSFET에 비해 스위칭 특성이 좋지 않아서 스위칭 손실이 많이 발생하며 스위칭 주파수에도 제한을 받는다. 본 논문에서는 IGBT와 MPSFET의 장점을 살리기 위하여 IGBT에 MOSFET를 병렬로 IGBT-MOSFET 별렬 스위치를 사용한 24kW, 48V 출력의 고효율 반브리지 직류-직류 변환기를 제안한다. 병렬 스위치에서 주 스위칭 IGBT는 도통구간에서 주된 역할을 하며 MOSFET는 스위칭시에 주된 역할을 한다. 스위칭 손실을 분석하기 위하여 선형화 모델을 사용하였으며 시뮬레이션을 통하여 변환기의 동작을 확인 하였다.