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Parasitic Capacitance and Resistance Model Development and Optimization of Raised Source/Drain SOI FinFET Structure for Analog Circuit Applications

绝缘体上的硅 寄生电容 电容 材料科学 光电子学 寄生元件 电子工程 电气工程 工程类 物理 电极 量子力学
作者
Neeraj Jain,Balwinder Raj
出处
期刊:Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics [American Scientific Publishers]
卷期号:13 (4): 531-539 被引量:24
标识
DOI:10.1166/jno.2018.2290

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