Electronic properties and defect levels induced by n/p-type defect-complexes in Ge

材料科学 结晶学 带隙 接受者 晶体缺陷 浅层供体 密度泛函理论 兴奋剂 计算化学 凝聚态物理 物理 化学 光电子学
作者
E. Igumbor,O. Olaniyan,G.M. Dongho-Nguimdo,R.E. Mapasha,Sohail Ahmad,E. Omotoso,W.E. Meyer
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier BV]
卷期号:150: 106906-106906 被引量:9
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2022.106906

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