2.1-μm Wavelength InGaAs MQW DFB Lasers Grown by MOVPE using Sb Surfactant

金属有机气相外延 光电子学 材料科学 激光器 波长 砷化镓 半导体激光器理论 光学 外延 纳米技术 半导体 图层(电子) 物理
作者
Tomonari Sato,Manabu Mitsuhara,Toshio Watanabe,Y. Kondo
标识
DOI:10.1109/islc.2006.1708135
摘要

Emission wavelengths longer than 2.1 mum and CW output power higher than 8 mW at 25degC were achieved in strained InGaAs MQW DFB lasers grown by MOVPE using an Sb surfactant

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