金属有机气相外延
光电子学
材料科学
激光器
波长
砷化镓
半导体激光器理论
光学
外延
纳米技术
半导体
图层(电子)
物理
作者
Tomonari Sato,Manabu Mitsuhara,Toshio Watanabe,Y. Kondo
标识
DOI:10.1109/islc.2006.1708135
摘要
Emission wavelengths longer than 2.1 mum and CW output power higher than 8 mW at 25degC were achieved in strained InGaAs MQW DFB lasers grown by MOVPE using an Sb surfactant
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