Power cycling issues and challenges of SiC-MOSFET power modules in high temperature conditions

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作者
Ali Ibrahim,J.P. Ousten,R. Lallemand,Z. Khatir
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
卷期号:58: 204-210 被引量:50
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2015.11.030
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