F4‐TCNQ as an Additive to Impart Stretchable Semiconductors with High Mobility and Stability

材料科学 半导体 掺杂剂 晶体管 钝化 有机半导体 聚合物 纳米技术 光电子学 电子迁移率 兴奋剂 复合材料 电气工程 电压 图层(电子) 工程类
作者
Jaewan Mun,Jiheong Kang,Yu Zheng,Shaochuan Luo,Yilei Wu,Huaxin Gong,Jian‐Cheng Lai,Hung‐Chin Wu,Gi Xue,Jeffrey B.‐H. Tok,Zhenan Bao
出处
期刊:Advanced electronic materials [Wiley]
卷期号:6 (6) 被引量:84
标识
DOI:10.1002/aelm.202000251
摘要

Abstract Numerous strategies are developed to impart stretchability to polymer semiconductors. Although these methods improve the ductility, mobility, and stability of such stretchable semiconductors, they nonetheless still need further improvement. Here, it is shown that 2,3,5,6‐tetrafluoro‐7,7,8,8‐tetracyanoquinodimethane (F4‐TCNQ) is an effective molecular additive to tune the properties of a diketopyrrolopyrrole‐based (DPP‐based) semiconductor. Specifically, the addition of F4‐TCNQ is observed to improve the ductility of the semiconductor by altering the polymer’s microstructures and dynamic motions. As a p‐type dopant additive, F4‐TCNQ can also effectively enhance the mobility and stability of the semiconductor through changing the host polymer’s packing structures and charge trap passivation. Upon fabricating fully stretchable transistors with F4‐TCNQ‐DPP blended semiconductor films, it is observed that the resulting stretchable transistors possess one of the highest initial mobility of 1.03 cm 2 V −1 s −1 . The fabricated transistors also exhibit higher stability (both bias and environmental) and mobility retention under repeated strain, compared to those without F4‐TCNQ additive. These findings offer a new direction of research on stretchable semiconductors to facilitate future practical applications.
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