Optical Properties of a Magnetic Semiconductor: Chalcopyrite CuFeS 2 . I. Absorption Spectra of CuFeS 2 and Fe-Doped CuAlS 2 and CuGaS 2

带隙 兴奋剂 吸收(声学) 黄铜矿 杂质 半导体 凝聚态物理 分析化学(期刊) 谱线 磁性半导体 光致发光
作者
Teruo Teranishi,Katsuaki Sato,Ken'ichi Kondo
出处
期刊:Journal of the Physical Society of Japan [Physical Society of Japan]
卷期号:36 (6): 1618-1624 被引量:75
标识
DOI:10.1143/jpsj.36.1618
摘要

Optical absorptions have been measured in chalcopyrite, CuFeS 2 , and Fe-doped CuAlS 2 and CuGaS 2 . An extra absorption band with two peaks is observed at the low energy region of the absorption edge for Fe-doped CuAlS 2 and CuGaS 2 .Energy positions of two absorption peaks are 1.3 eV and 2.0 eV for CuAlS 2 and 1.2 eV and 1.9 eV for CuGaS 2 , respectively. The intensity of this absorption band increases with the increase of doped Fe ions and grows into the absorption edge of CuFeS 2 . Its oscillator strength comes up to 7·10 -2 . In chalcopyrite photoconductivity is observed and its maximum is just at the same energy region of the absorption edge. By comparing our results with those of absorption measurements for Cu- or Fe-doped ZnS it is concluded that this absorption band originates from the charge transfer transitions relating to 3d electron of Fe ions and the absorption edge of CuFeS 2 rises from the band-to-band transition corresponding to this charge transfer transition.

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