Investigations of SiC merged pin Schottky diodes under isothermal and non‐isothermal conditions

香料 等温过程 肖特基二极管 二极管 材料科学 光电子学 肖特基势垒 电子工程 工程类 物理 热力学
作者
J. Zarębski,J. Dąbrowski
出处
期刊:International Journal of Numerical Modelling-electronic Networks Devices and Fields [Wiley]
卷期号:24 (3): 207-217 被引量:8
标识
DOI:10.1002/jnm.771
摘要

Abstract The paper concerns the problem of SPICE modeling of the merged pin Schottky (MPS) diodes. In the paper, the SPICE electrothermal model (ETM) of the SiC MPS diodes proposed by Infineon Technologies is investigated. The model was verified experimentally by comparing the calculated and the measured d.c. characteristics of the diode IDT06S60C. Some modifications of the model resulting in the improvement of its accuracy at d.c. analysis are proposed. Copyright © 2010 John Wiley & Sons, Ltd.

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