Generation of Oxygen-Related Defects in Crystal Silicon Processed by the RPD

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作者
Tomohiko Hara,Iori Oura,Takuma Matsuzuki,Yoshio Ohshita
出处
期刊:Crystals [Multidisciplinary Digital Publishing Institute]
卷期号:13 (2): 310-310
标识
DOI:10.3390/cryst13020310
摘要

Suppression of the formation of crystal defects is essential for the realization of high-efficiency solar cells. The reactive plasma deposition (RPD) process introduces defects in the silicon crystal bulk and at the passivation layer/silicon crystal interface. This study suggests that oxygen impurities can affect the generation of RPD-induced defects. Although the RPD deposition conditions were the same, the number of RPD-induced recombination centers in Cz-Si was larger than that in the Fz wafer. The increase in 950 °C pre-annealing resulted in increased peak intensity corresponding to defect level E1 in the Cz-Si MOS sample. In the case of Fz-Si, the increase in intensity with increasing pre-annealing time was slight. This indicates that oxygen precipitation might be related to the structure of RPD-induced defects.
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