Indium-doping-induced selenium vacancy engineering of layered tin diselenide for improving room-temperature sulfur dioxide gas sensing

二硒醚 二氧化锡 兴奋剂 材料科学 空位缺陷 硫黄 二氧化硫 无机化学 光电子学 化学 冶金 结晶学
作者
Xuezheng Guo,Yijie Shi,Yanqiao Ding,Yuhui He,Bingsheng Du,Chengyao Liang,Yiling Tan,Peilin Liu,Xiangshui Miao,Yong He,Xi Yang
出处
期刊:Journal of materials chemistry. A, Materials for energy and sustainability [Royal Society of Chemistry]
卷期号:10 (42): 22629-22637 被引量:21
标识
DOI:10.1039/d2ta04317c
摘要

Cation-doping engineering was utilized to induce selenium vacancies in tin diselenide for high-performance and room-temperature sulfur dioxide gas sensing.

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