Electronic band structure engineering in ALD HfO2: Linking impurity chemistry to electronic performance and charge transport

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作者
Bingbing Xia,Guocong Lin,Jean‐Jacques Ganem,Emrick Briand,S Steydli,Jürgen von Bardeleben,I. Vickridge,A. Baron-Wiecheć
出处
期刊:Acta Materialia [Elsevier BV]
卷期号:304: 121780-121780
标识
DOI:10.1016/j.actamat.2025.121780
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