Van der Waals‐Interface‐Dominated All‐2D Electronics

数码产品 材料科学 范德瓦尔斯力 纳米技术 接口(物质) 工程物理 物理化学 物理 分子 毛细管数 量子力学 复合材料 化学 毛细管作用
作者
Xiankun Zhang,Yanzhe Zhang,Huihui Yu,Hang Zhao,Zhihong Cao,Zheng Zhang,Yue Zhang
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:35 (50): e2207966-e2207966 被引量:90
标识
DOI:10.1002/adma.202207966
摘要

The interface is the device. As the feature size rapidly shrinks, silicon-based electronic devices are facing multiple challenges of material performance decrease and interface quality degradation. Ultrathin 2D materials are considered as potential candidates in future electronics by their atomically flat surfaces and excellent immunity to short-channel effects. Moreover, due to naturally terminated surfaces and weak van der Waals (vdW) interactions between layers, 2D materials can be freely stacked without the lattice matching limit to form high-quality heterostructure interfaces with arbitrary components and twist angles. Controlled interlayer band alignment and optimized interfacial carrier behavior allow all-2D electronics based on 2D vdW interfaces to exhibit more comprehensive functionality and better performance. Especially, achieving the same computing capacity of multiple conventional devices with small footprint all-2D devices is considered to be the key development direction of future electronics. Herein, the unique properties of all-2D vdW interfaces and their construction methods are systematically reviewed and the main performance contributions of different vdW interfaces in 2D electronics are summarized, respectively. Finally, the recent progress and challenges for all-2D vdW electronics are discussed, and how to improve the compatibility of 2D material devices with silicon-based industrial technology is pointed out as a critical challenge.
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