Dry Etching에 의해 제작된 실리콘 미세 구조물

기존의 다공질 실리콘 제작 방법인 chemical etching 방법을 병행하면서 새로운 제작 방법으로서 dry etching 기술을 적용하여 다공질 실리콘을 제작하였다. 또한, 비교를 위해 E-beam lithography 기술로 실리콘 구조물을 제작하였는데 이 경우 현재 기술상 문제로 약 0.3 ㎛의 직경을 가진 구조물이 최소의 크기였다. 따라서 새로운 방법으로 4인치 wafer 위에 mask 역할을 해주는 다이아몬드 분말을 spin coater로 입힌 후 Reactive Ion Etching(RIE)방법으로 미세구조의 다공질 실리콘을 제작하였다. 다양한 조건으로 제작된 sample들의 morphology를 SEM과 AFM 등을 이용하영 분석하였고 이 morphology에 대응하는 PL스펙트럼을 측정하였다. 그 결과, 다이몬드 분말을 이용한 dry etching방법으로 제작된 다공질 실리콘의 PL peak의 위치가 chemical etching 방법의 다공질 실리콘의 PL peak 위치인 760 ㎚에 비해 높은 에너지인 590 ㎚로 나타났다.