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Correlation for III-V and II-VI Semiconductors of the Au Schottky Barrier Energy with Anion Electronegativity

电负性 离子 肖特基势垒 半导体 肖特基二极管 材料科学 凝聚态物理 原子物理学 物理 光电子学 量子力学 二极管
作者
J. O. McCaldin,T. C. McGill,Carver Mead
出处
期刊：Physical Review Letters [American Physical Society]
日期：1976-01-05 卷期号：36 (1): 56-58 被引量：233
链接
caltech.edu caltech.edudoi.org
标识
DOI：10.1103/physrevlett.36.56
摘要
The Schottky barrier for holes on common III-V and II-VI semiconductors contacted by Au is shown to depend only on the anion electronegativity.Received 16 September 1975DOI:https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.36.56©1976 American Physical Society
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