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作者
Banglin Cao,Zegao Wang,Xuya Xiong,Libin Gao,Jiheng Li,Mingdong Dong
摘要
Sulfur vacancy dominant hysteresis in MoS2 transistors is observed. By decorating with Pt, the hysteresis behavior could switch from sulfur vacancy dominant to interfacial dominant, thereby realizing a hysteresis-reversible MoS2 transistor.
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