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作者
Jialong Xu,Wenjun Xiao,Jinshun Bi,Ziqiang Xu,Lidong Dai,Gang Wang,Degui Wang,Mingqiang Liu,Abuduwayiti Aierken,Changsong Gao,Zhilong He,Xuefei Liu
摘要
A nonequilibrium defect-engineering strategy mitigates self-compensation in Sb 2 S 3 by freezing high-temperature defect populations and regulating S-vacancy charge states, enabling enhanced carrier activation and improved electronic properties.
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