光电子学
材料科学
宽禁带半导体
氮化镓
纳米技术
图层(电子)
作者
П. В. Середин,D. L. Goloshchapov,D.E. Kostomakha,Yaroslav A. Peshkov,Nikita Buylov,Sergey A. Ivkov,A. M. Mizerov,S. N. Timoshnev,M. S. Sobolev,Е. В. Убыйвовк,Valeriy Zemlyakov
标识
DOI:10.1016/j.optmat.2024.115471
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