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PMOS Rc reduction using B2H6 plasma doping process and advanced anneals for the current and next-gen DRAM devices

材料科学 PMOS逻辑 德拉姆 兴奋剂 光电子学 工程物理 纳米技术 电气工程 晶体管 电压 工程类
作者
V. Bhosle,Ming Cai,Shashank Sharma,Ben Ng,Michael C. Liu,Dhiraj Raj
出处
期刊:MRS Advances [Springer Science+Business Media]
卷期号:10 (4): 445-449
标识
DOI:10.1557/s43580-025-01201-2
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