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Effect of thickness on the properties of Cu(Inx,Ga1-x)Se2 back conduct Mo thin films prepared by DC sputtering

材料科学 薄膜 溅射 微观结构 电阻率和电导率 复合材料 溅射沉积 硒化铜铟镓太阳电池 苏打石灰玻璃 薄板电阻 图层(电子) 纳米技术 电气工程 工程类
作者
T.F. Jing,Xin Yang,Liu Shang-Jun,Xiaojuan Lian,Chen Jin-wei,Ruilin Wang
出处
期刊:Chinese Physics [Science Press]
卷期号:62 (11): 116801-116801 被引量:2
标识
DOI:10.7498/aps.62.116801
摘要

In this study, Mo thin films which used in Cu(Inx Ga1-x)Se2 (CIGS) thin film solar cells as back conduct were deposited on soda-lime glass substrates via DC magnetron sputtering under certain conditions. A series of Mo thin films prepared of various thicknesses was obtained in different sputtering deposition times. The microstructure, electrical resistivity and mechanical strain property of Mo thin films, which may be varied by controlling the thickness, were investigated by XRD, SEM, four probes technology and Scotch tape test. As the results showed, the thicknesses of the films increased linearly with the sputtering time. With increasing thickness, the films' crystal growth showed a change from (110) preferred orientation to (211) preferred orientation. The sheet resistance sharply reduced to 2 Ω/⇑ with the increase of (110) peak height and the resistivity linearly decreased to 0.96×10-4 Ω·cm due to the level of (110) preferred orientation. The films surface has porous (fish-like) grain morphology and intergranular voids. All the films are in a tensile state, and the inner strain decreased with the increase of the thickness.
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