Generating a Stable Higher-Symmetry CsPbI

材料科学 对称(几何) 纳米技术 化学物理 凝聚态物理 结晶学 物理 化学 数学 几何学
作者
Rafikul Ali Saha,Athina Papadopoulou,Rocío Ariza,Giedrius Degutis,Irina Skvortsova,Tom Braeckevelt,Francesco De Angelis,Eduardo Solano,João Pedro de Sousa Gouveia dos Anjos,Maria Isabel Pintor‐Monroy,Ilya Mongilyov,Bart Goderis,Juan Rubio‐Zuazo,Jan Genoe,Carlo Meneghini,Julian A. Steele,Sara Bals,Véronique Van Speybroeck,Johan Hofkens,Maarten B. J. Roeffaers
出处
期刊:PubMed
标识
DOI:10.1021/acsnano.5c07700
摘要

Black-phase cesium lead iodide (CsPbI3) is a promising candidate for high-efficiency perovskite optoelectronics, but its instability under ambient conditions remains a major challenge. Among several strategies, dimethylammonium iodide (DMAI) has emerged as a potential stabilizer; however, inconsistencies in phase stability (3-7 days) and lower solar power conversion efficiencies (∼20 vs ∼27% for hybrid perovskites) highlight the need for further improvements. This study not only demonstrates enhanced stabilization of the high-symmetry black phase of CsPbI3 and improved film morphology through optimized composition and annealing conditions but also more importantly provides detailed mechanistic insights obtained from comprehensive experimental and theoretical analyses. Systematic tuning of the DMAI concentration (1.2 M), annealing temperature (200 °C, 1 min), and Cs+ substitution (12-15%) significantly extends phase stability to 7 days under ambient conditions (35-52% relative humidity) and maintains stability even after 16 months in a drybox environment by reducing orthorhombic strain and octahedral tilting. Additionally, a minor (∼5%) zero-dimensional (0D) Cs4PbI6 phase fills pinholes, enhancing the film quality. Optimized photodiodes exhibit a low dark current (∼1 μA/cm2), high external quantum efficiency (∼80% at -2 V), and a ≥100 dB linear dynamic range. These findings provide mechanistic insights into the stabilization of the black phase of CsPbI3, advancing the development of more stable and efficient perovskite-based optoelectronic devices.
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