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Recent Progress in Photonic Processing of Metal‐Oxide Transistors

材料科学 数码产品 氧化物 光子学 相容性(地球化学) 纳米技术 薄膜晶体管 光电子学 晶体管 工程物理 薄膜 冶金 电气工程 电压 工程类 图层(电子) 复合材料
作者
Emre Yarali,Christina Koutsiaki,Hendrik Faber,Kornelius Tetzner,Emre Yengel,P. Patsalas,N. Kalfagiannis,Demosthenes C. Koutsogeorgis,Thomas D. Anthopoulos
出处
期刊:Advanced Functional Materials [Wiley]
卷期号:30 (20) 被引量:83
标识
DOI:10.1002/adfm.201906022
摘要

Abstract Over the past few decades, significant progress has been made in the field of photonic processing of electronic materials using a variety of light sources. Several of these technologies have now been exploited in conjunction with emerging electronic materials as alternatives to conventional high‐temperature thermal annealing, offering rapid manufacturing times and compatibility with temperature‐sensitive substrate materials among other potential advantages. Herein, recent advances in photonic processing paradigms of metal‐oxide thin‐film transistors (TFTs) are presented with particular emphasis on the use of various light source technologies for the photochemical and thermochemical conversion of precursor materials or postdeposition treatment of metal oxides and their application in thin‐film electronics. The pros and cons of the different technologies are discussed in light of recent developments and prospective research in the field of modern large‐area electronics is highlighted.
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