Subthreshold Characteristics of Double Gate MOSFET for Gaussian Function Distribution

본 연구에서는 가우스분포함수의 형태에 따라 DGMOSFET에 스켈링이론을 적용하였을 때 문턱전압이하특성의 변화를 분석하고자 한다. 포아송방정식의 분석학적 해를 구할 때 사용하는 전하분포함수에 가우시안 함수를 적용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 대하여 문턱전압이하 특성의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 문턱전압이하 특성을 분석할 것이다. 스켈링이론은 소자파라미터의 변화에 대하여 출력특성을 변함없이 유지하기 위하여 적용하는 이론이다. DGMOSFET에 스켈링이론을 적용한 결과, 가우스함수의 형태에 따라 문턱전압이하 특성이 매우 크게 변화하였으며 특히 문턱전압의 변화는 상대적으로 매우 크게 나타난다는 것을 관찰하였다. This paper have presented the change for subthreshold characteristics for double gate(DG) MOSFET based on scaling theory and the shape of Gaussian function. To obtain the analytical solution of Poisson's equation, Gaussian function been used as carrier distribution and consequently potential distributions have been analyzed closely for experimental results, and the subthreshold characteristics have been analyzed for the shape parameters of Gaussian function such as projected range and standard projected deviation. Since this potential model has been verified in the previous papers, we have used this model to analyze the subthreshold chatacteristics. The scaling theory is to sustain constant outputs for the change of device parameters. As a result to apply the scaling theory for DGMOSFET, we know the subthreshold characteristics have been greatly changed, and the change of threshold voltage is bigger relatively.