Comparative Analysis of Synthetic Memristor Emulator and M-R Mutator

합성형 멤리스터 에뮬레이터와 M-R 뮤테이터 기반 멤리스터 에뮬레이터의 특성들을 분석하고 차이점을 비교하였다. 멤리스터는 가변 저항 특성을 갖는 소자로서 저항, 커패시터, 인덕터 다음의 4번째 전기회로 기본소자이다. 멤리스터 에뮬레이터는 이 멤리스터의 가변저항 특성을 전자소자들을 조합하여 구현한 회로인데, 멤리스터 상용화 이전까지의 멤리스터 연구를 위해서는 필수 회로이다. 대표적인 멤리스터 에뮬레이터에는 그 구현 방법에 따라 전자소자들을 조합하여 가변 저항특성을 구현하는 합성형 멤리스터 에뮬레이터와 M-R 뮤테이터를 사용하여 비선형소자로부터 가변저항 특성을 구현하는 M-R 뮤테이터 기반 멤리스터 에뮬레이터가 있다. 본 논문에서는 이 두 가지 에뮬레이터의 구현 방법과 특성들을 분석하고 그 차이점을 연구하였다. An analytical comparison of a synthetic memristor emulator and a M-R mutator-based memristor emulator has been performed. Memristor is an electrical element with the characteristic of variable resistance. It is called the fourth fundamental electrical element following resistor, capacitor, and inductor. Memristor emulator is a circuit which implements the feature of variable resistance via the composition of various electrical devices. It is an essential circuit to study memristor characteristics during the time before it is commercially available. There are two representative memristor emulators depending upon their implementation methods. One is a memristor emulator which is synthesized via combining various electrical devices and the other one is M-R mutator-based memristor emulator implemented by extracting resistance from a nonlinear device. In this paper, implementation methods of these two memristor emulators are studied and their differences are investigated by analysing their characteristics.