Filter‐Free Narrowband Photomultiplication‐Type Planar Heterojunction Organic Photodetectors

窄带 材料科学 异质结 光电子学 光电探测器 量子效率 平面的 钝化 载流子 图层(电子) 光学 纳米技术 物理 计算机科学 计算机图形学(图像)
作者
Zijin Zhao,Chunyu Xu,Yao Ma,Xiaoling Ma,Xixiang Zhu,Lianbin Niu,Liang Shen,Zhengji Zhou,Fujun Zhang
出处
期刊:Advanced Functional Materials [Wiley]
卷期号:33 (9) 被引量:75
标识
DOI:10.1002/adfm.202212149
摘要

Abstract Filter‐free narrowband photomultiplication‐type planar heterojunction (PHJ) organic photodetectors (PM‐PHOPDs) are first realized by employing a thick front donor layer and an ultrathin PC 71 BM layer. The thick front donor layer is employed as an optical field adjusting (OFA) layer. The sequentially coated PC 71 BM will diffuse slightly into OFA layer, which works as interfacial electron traps to capture photogenerated electrons for assisting hole tunneling injection. The P3HT/PC 71 BM‐based PM‐PHOPDs exhibit narrowband response with full‐width of half‐maximum of 32 nm and external quantum efficiency (EQE) of 1700% at 650 nm under −20 V bias. Due to the enhanced hole transport and reduced charge recombination in PHJ compared to those in bulk heterojunction (BHJ), the EQE of P3HT/PC 71 BM‐based narrowband PM‐PHOPDs is twice as P3HT:PC 71 BM BHJ‐based narrowband PM‐OPDs under the same bias. The response peak of PM‐PHOPDs is adjusted from 650 to 695 or 745 nm by incorporating SMPV1 or DRCN5T in OFA layers due to the red‐shifted absorption edge. The EQEs of 3600% at 695 nm and 870% at 745 nm are obtained for P3HT:SMPV1 and P3HT:DRCN5T‐based PM‐PHOPDs under −20 V bias, respectively. This work provides a smart strategy to achieve narrowband PM‐OPDs by designing different OFA layers.
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