Simulation of a Silicon Based Solar Cell Using TCAD-Silvaco Tools

材料科学 太阳能电池效率 太阳能电池 光电子学 工程物理 半导体 单晶硅 电子工程 晶体硅 计算机科学 工程类
作者
A. Ghazli,A. Aissat,Jean‐Pierre Vilcot
出处
期刊:Springer proceedings in energy 卷期号:: 303-309
标识
DOI:10.1007/978-981-15-5444-5_38
摘要

The most well-known solar cells are made of semiconductors, mainly based on crystalline silicon (mono- or poly-crystalline). It consists in converting solar radiation into electricity. Generally, the solar cell device that can carry out this function is essentially a single PN junction with large surface. The most of solar cells on the market today are based on silicon crystal. Currently, multiple researches are in progress in order to realize cells with multi junctions, tandem, by connecting to the silicon cell, another cell based on a material with wide gap energy in order to obtain a better efficiency. In this paper, we studied the efficiency of a silicon solar cell by using TCAD—Silvaco tools. The silicon solar cell structure was defined using Athena 2D process simulator that permit to create the structure in order to study it and use it in predictive simulation. On the other hand, the electrical simulation was performed using Atlas simulator. After simulation, the final output parameters are Voc = 0.61 V, Jsc = 23.267 mA.cm−2, FF = 0.795 and 11.30% of efficiency.
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