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作者
Huiyun Wei,Peng Qiu,Meina Yu,Yimeng Song,Ye Li,Yingfeng He,Mingzeng Peng,Xiaohu Liu,Xinhe Zheng
出处
期刊：RSC Advances
[The Royal Society of Chemistry]
日期：2022-01-01
卷期号：12 (4): 2276-2281
被引量：4
摘要
A suitable energy level arrangement is formed between GaN and CdSe QDs, and the GaN epilayer exhibits better electron extraction ability and faster interfacial electron transfer than the rutile TiO 2 single crystal.
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