The total ionizing dose response of leading-edge FDSOI MOSFETs

NMOS逻辑 PMOS逻辑 晶体管 材料科学 MOSFET 光电子学 阈值电压 绝缘体上的硅 吸收剂量 负偏压温度不稳定性 电气工程 电子工程 电压 工程类 辐照 物理 核物理学
作者
Jiuju Wang,B. Li,Yang Huang,Kai Zhao,Fei Yu,Qingdong Zheng,Q. Guo,Ling Xu,Jianfeng Gao,Xiaoqing Cai,Yu Cui
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier]
卷期号:88-90: 979-983 被引量:14
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2018.07.080
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