MOSFET
材料科学
光电子学
碳化硅
工程物理
电子工程
电气工程
晶体管
工程类
冶金
电压
作者
Francesco Pintacuda,S. Massetti,A. Javanaien,M. Muschitiello,V. Cantarella
标识
DOI:10.1109/radecs47380.2019.9745687
摘要
This paper report the SEE results measured on Mos-SiC, Mos-Si and SiC Mosfet. The goal of this study is to characterize SiC oxides gate as one of the key factors for rad-hard SiC MOSFET development.
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