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作者
Ping-Li Wu,Yan-Min Liao,Chen Chien,Yu-Jie Teng,Yu-Ying Hung,Jin-Wei Shi,Yi-Shan Lee
标识
DOI：10.1364/sensors.2021.stu1b.4
摘要
The performance of InGaAs/InAlAs single photon avalanche diodes (SPAD) was improved with fabrication in triple mesa. Current SPADs achieve better dark count rate of 5 × 104 ⁄2 for single photon detection efficiency of 31% at RT.
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