光电子学
材料科学
砷化铟镓
单光子雪崩二极管
雪崩光电二极管
砷化镓
雪崩二极管
光子
制作
二极管
物理
光学
探测器
击穿电压
电压
病理
替代医学
医学
量子力学
作者
Ping-Li Wu,Yan-Min Liao,Chi-En Chen,Yu-Jie Teng,Yu-Ying Hung,Jin‐Wei Shi,Yi-Shan Lee
标识
DOI:10.1364/sensors.2021.stu1b.4
摘要
The performance of InGaAs/InAlAs single photon avalanche diodes (SPAD) was improved with fabrication in triple mesa. Current SPADs achieve better dark count rate of 5 × 104 ⁄2 for single photon detection efficiency of 31% at RT.
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