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LYDC
Lv5
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2024-03-26 加入
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Broadband Noise Characterization of SiGe HBTs Down to 4K
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Recent progress in bipolar and heterojunction bipolar transistors on SOI
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Effects of the Total Ionizing Dose on the Single Event Transient Sensitivity of SiGe HBT Exposed to Heavy-Ion Beam
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Coupled radiation effects of swift heavy ions and strong electromagnetic pulses on a SiGe HBT: A TCAD-based simulation
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15天前
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28天前
已获得【积分已退回】
3个月前
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3个月前
已获得【积分已退回】
3个月前
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3个月前
感谢,速度真快
9个月前
非常感谢!
1年前
感谢
1年前
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