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Effects of the Total Ionizing Dose on the Single Event Transient Sensitivity of SiGe HBT Exposed to Heavy-Ion Beam
总电离剂量对重离子束辐照SiGe HBT单事件瞬态灵敏度的影响
相关领域
异质结双极晶体管 重离子 电离辐射 灵敏度（控制系统） 瞬态（计算机编程） 梁（结构） 事件（粒子物理） 离子 物理 瞬态分析 材料科学 单事件翻转 电气工程 光电子学 核物理学 瞬态响应 电子工程 光学 晶体管 电压 工程类 辐照 双极结晶体管 计算机科学 量子力学 静态随机存取存储器 操作系统
网址
https://doi.org/10.1109/tns.2025.3579400
DOI
10.1109/tns.2025.3579400 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science
作者：J.F. Zhang; Xin Wang; Hongxia Guo; W. Hajdas; Yunyi Yan; et al
出版日期：2025-01-01
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LYDC 在 2025-07-25 14:20:42 发布自贵州，悬赏 10 积分
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