| 标题 |
 Effects of the Total Ionizing Dose on the Single Event Transient Sensitivity of SiGe HBT Exposed to Heavy-Ion Beam 总电离剂量对重离子束辐照SiGe HBT单事件瞬态灵敏度的影响
相关领域
异质结双极晶体管
重离子
电离辐射
灵敏度（控制系统）
瞬态（计算机编程）
梁（结构）
事件（粒子物理）
离子
物理
瞬态分析
材料科学
单事件翻转
电气工程
光电子学
核物理学
瞬态响应
电子工程
光学
晶体管
电压
工程类
辐照
双极结晶体管
计算机科学
量子力学
静态随机存取存储器
操作系统
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：J.F. Zhang; Xin Wang; Hongxia Guo; W. Hajdas; Yunyi Yan; et al 出版日期：2025-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
cdercder
Nole
DW
无极微光
Dean
学术文献互助
贪玩的秋柔
秋风
aaaa
Wells
dde
aajhajkahna
v0id
共产主义战士
Kao
鹰击长空
OK
arniu2008
Juvenilesy
xing_xing
皖公网安备34019202002308
