Temperature dependence of avalanche breakdown in 4H-SiC devices

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标题	Temperature dependence of avalanche breakdown in 4H-SiC devices 4H-SiC器件雪崩击穿的温度特性相关领域雪崩击穿雪崩二极管材料科学齐纳二极管肖特基二极管单光子雪崩二极管击穿电压二极管碳化硅电子雪崩撞击电离光电子学雪崩光电二极管电离航程（航空）大气温度范围电压电气工程物理光学复合材料探测器晶体管气象学量子力学离子工程类
网址	https://doi.org/10.1063/5.0152385
DOI	10.1063/5.0152385 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Philipp Steinmann; Brett Hull; In−Hwan Ji; Daniel J. Lichtenwalner; Edward Van Brunt 出版日期：2023-06-16
求助人	117 在 2023-11-21 11:06:39 发布自云南，悬赏 10 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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