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Origin of the retention loss in ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2-based memory devices
铁电Hf0.5Zr 0.5 O2基存储器件保持损耗的成因
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期刊:Acta Materialia 作者:Anastasia Chouprik; Ekaterina Kondratyuk; V. P. Mikheev; Yu. Matveyev; Maxim Spiridonov; et al 出版日期:2021-02-01 |
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