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Demonstration of PdSe 2 CMOS Using Same Metal Contact in PdSe 2 n‐/p‐MOSFETs through Thickness‐Dependent Phase Transition
PdSe2n-/p-MOSFETs中相同金属接触PdSe2CMOS的厚度相变演示
相关领域
材料科学
光电子学
晶体管
CMOS芯片
肖特基势垒
MOSFET
兴奋剂
场效应晶体管
半导体
氧化物
带隙
电气工程
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二极管
工程类
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其它 |
期刊:Advanced electronic materials 作者:Jae Eun Seo; Eunpyo Park; Tanmoy Das; Joon Young Kwak; Jiwon Chang 出版日期:2022-07-20 |
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