Impact of Mg out-diffusion and activation on the p-GaN gate HEMT device performance

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标题	Impact of Mg out-diffusion and activation on the p-GaN gate HEMT device performance
网址	https://doi.org/10.1109/ISPSD.2016.7520786
DOI	10.1109/ISPSD.2016.7520786 doi
其它	期刊：2016 28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者：N. E. Posthuma; S. You; H. Liang; N. Ronchi; X. Kang; et al 出版日期：2016
求助人	cc 在 2026-04-18 19:53:27 发布自天津，悬赏 10 积分
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