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 Band alignment of orthorhombic Ga2O3 with GaN and AlN semiconductors 相关领域
材料科学
异质结
外延
光电子学
脉冲激光沉积
半导体
蓝宝石
正交晶系
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带偏移量
电子能带结构
宽禁带半导体
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锡
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期刊：Applied Surface Science 作者：Shibin Krishna; Yi Lu; Che‐Hao Liao; Vishal Khandelwal; Xiaohang Li 出版日期：2022-06-11 |
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