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A Comparison of Ion Implantation at Room Temperature and Heated Ion Implantation on the Body Diode Degradation of Commercial 3.3 kV 4H-SiC Power MOSFETs
室温离子注入和加热离子注入对商用3.3 kV 4H-SiC功率MOSFET体二极管退化的比较
相关领域
材料科学 离子注入 二极管 光电子学 降级（电信） 堆积 离子 宽禁带半导体 MOSFET 压力（语言学） 电压 电气工程 晶体管 化学 工程类 哲学 有机化学 语言学
网址
https://doi.org/10.1109/wipda56483.2022.9955255
DOI
10.1109/wipda56483.2022.9955255 doi
其它 期刊：
作者：Jiashu Qian; Tianshi Liu; Jake Soto; Mowafak Al‐Jassim; Robert E. Stahlbush; et al
出版日期：2022-11-07
求助人
李庆 在 2025-08-24 09:57:27 发布自上海，悬赏 10 积分
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