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 A Comparison of Ion Implantation at Room Temperature and Heated Ion Implantation on the Body Diode Degradation of Commercial 3.3 kV 4H-SiC Power MOSFETs 室温离子注入和加热离子注入对商用3.3 kV 4H-SiC功率MOSFET体二极管退化的比较
相关领域
材料科学
离子注入
二极管
光电子学
降级（电信）
堆积
离子
宽禁带半导体
MOSFET
压力（语言学）
电压
电气工程
晶体管
化学
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期刊： 作者：Jiashu Qian; Tianshi Liu; Jake Soto; Mowafak Al‐Jassim; Robert E. Stahlbush; et al 出版日期：2022-11-07 |
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