| 标题 |
 Electron- and proton irradiation of strongly doped silicon of p-type: Formation and annealing of boron-related defects p型强掺杂硅的电子和质子辐照：硼相关缺陷的形成和退火
相关领域
硼
退火（玻璃）
硅
辐照
材料科学
兴奋剂
电子束处理
电子
晶体缺陷
质子
结晶学
分析化学（期刊）
原子物理学
放射化学
化学
冶金
核物理学
光电子学
物理
有机化学
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Applied Physics 作者：V. V. Emtsev; N. V. Abrosimov; Vitalii V. Kozlovski; С. Б. Ластовский; G. A. Oganesyan; et al 出版日期：2022-03-23 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
Nole
潇洒的惋清
cdercder
v0id
我能私信骂你吗
简单海露
秋风
OK
dde
xing_xing
aaaa
Dean
arniu2008
学术文献互助
诸军则
wulanshu
DW
Criminology34
didiwang
皖公网安备34019202002308
