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标题
Electron- and proton irradiation of strongly doped silicon of p-type: Formation and annealing of boron-related defects
p型强掺杂硅的电子和质子辐照：硼相关缺陷的形成和退火
相关领域
硼 退火（玻璃） 硅 辐照 材料科学 兴奋剂 电子束处理 电子 晶体缺陷 质子 结晶学 分析化学（期刊） 原子物理学 放射化学 化学 冶金 核物理学 光电子学 物理 有机化学 色谱法
网址
https://doi.org/10.1063/5.0078043
DOI
10.1063/5.0078043 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：V. V. Emtsev; N. V. Abrosimov; Vitalii V. Kozlovski; С. Б. Ластовский; G. A. Oganesyan; et al
出版日期：2022-03-23
求助人
坦率曼卉 在 2025-08-29 10:33:35 发布，悬赏 10 积分
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