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标题
Retention Time Analysis in a 1T-DRAM With a Vertical Twin Gate and p+/i/n+ Silicon Nanowire
具有垂直双栅极和p+/i/n+硅纳米线的1T-DRAM中的保留时间分析
相关领域
德拉姆 动态随机存取存储器 硅 纳米线 物理 拓扑（电路） 光电子学 电气工程 工程类 半导体存储器
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2022.3193349
DOI
10.1109/ted.2022.3193349 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Sung Hwan Jang; Tae Whan Kim
出版日期：2022-07-27
求助人
蒋时晏 在 2025-08-29 02:25:20 发布，悬赏 10 积分
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