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 Giant Spin‐Valve Effect in Planar Spin Devices Using an Artificially Implemented Nanolength Mott‐Insulator Region 使用人工实现的纳米长度Mott绝缘体区的平面自旋器件中的巨自旋阀效应
相关领域
材料科学
自旋电子学
凝聚态物理
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期刊：Advanced Materials 作者：Tatsuro Endo; Shun Tsuruoka; Yuriko Tadano; Shingo Kaneta‐Takada; Yuichi Seki; et al 出版日期：2023-05-03 |
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