| 标题 |
 Interface-induced negative differential resistance and memristive behavior in Gr/MoSe2 heterostructure 相关领域
异质结
材料科学
接口
离子键合
化学气相沉积
石墨烯
光电子学
纳米技术
接口（物质）
单层
工程物理
计算机科学
复合材料
化学
离子
计算机硬件
工程类
有机化学
毛细管作用
毛细管数
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Materials Science Materials in Electronics 作者：Parnia Bastani; Seyed Majid Mohseni; Loghman Jamilpanah; Behnam Azizi; J. Shoa e Gharehbagh 出版日期：2022-02-02 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
sxb10101
无极微光
buno
承乐
BowieHuang
pluto
yznfly
优美紫槐
Criminology34
乐空思
子车茗
舒苏
pcr163
夜琉璃
求助人员
spc68
嘿嘿
wxyshare
小青椒
Mic
且慢
王涵
好好
猪猪hero
皖公网安备34019202002308
