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 Effects of GaAs Buffer Layer on Structural, Magnetic, and Transport Properties of Magnetic Topological Insulators Cry(BixSb1−x)2−yTe3 and Vy(BixSb1−x)2−yTe3 Films GaAs缓冲层对磁性拓扑绝缘体Cry（BixSb1-x）2-YTe3和Vy（BixSb1-x）2-YTe3薄膜的结构、磁性和输运性质的影响
相关领域
拓扑绝缘体
凝聚态物理
材料科学
透射电子显微镜
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磁化
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期刊：physica status solidi (b) 作者：Yusuke Nakazawa; Takafumi Akiho; Kiyoshi Kanisawa; Hiroshi Irie; N. Kumada; et al 出版日期：2025-01-22 |
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(2025-6-4)
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