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Deep and Near UV Photodetector Based Upon Zirconium Diboride and n-Doped Silicon Carbide 基于二硼化锆和氮掺杂碳化硅的深紫外光探测器
相关领域
碳化硅
光电探测器
兴奋剂
材料科学
锆
二硼化锆
硅
光电子学
宽禁带半导体
冶金
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期刊:IEEE Sensors Journal 作者:Sanjida Akter; Salah Abdo; Khalil As’ham; Ibrahim Al‐Ani; Haroldo T. Hattori 出版日期:2024-01-15 |
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