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 Impact of etching conditions on the sidewall quality of InGaN/GaN micro-LEDs investigated by cathodoluminescence imaging 用阴极发光成像研究蚀刻条件对InGaN/GaN微型LED侧壁质量的影响
相关领域
阴极发光
发光二极管
材料科学
蚀刻（微加工）
光电子学
宽禁带半导体
质量（理念）
氮化镓
纳米技术
发光
物理
量子力学
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：Journal of Applied Physics 作者：S. Wolter; Vladislav Agluschewitsch; Silke Wolter; Frederik Lüßmann; Christoph Margenfeld; et al 出版日期：2024-12-23 |
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