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 Hybrid MOSFET-TFET 11T SRAM cell with high write speed and free half-selected disturbance 具有高写入速度和无半选择干扰的混合MOSFET-TFET 11T SRAM单元
相关领域
静态随机存取存储器
扰动（地质）
MOSFET
材料科学
光电子学
电气工程
电子工程
工程类
计算机科学
晶体管
电压
地质学
古生物学
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| 其它 |
期刊：Microelectronics Journal 作者：Wenjuan Lu; Chuang Wang; Wei Hu; Chenghu Dai; Chunyu Peng; et al 出版日期：2024-11-28 |
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