Recent advancement in β-Ga2O3 MOSFETs: From material growth to device architectures for high-power electronics

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标题	Recent advancement in β-Ga2O3 MOSFETs: From material growth to device architectures for high-power electronics
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S016793172...
DOI	10.1016/j.mee.2025.112359 doi
其它	期刊：Microelectronic Engineering 作者：P. Murugapandiyan; A. Fletcher; Md Tanvir Hasan; N. Ramkumar; A. Revathy 出版日期：2025-05-01
求助人	YCY15880432100 在 2026-07-13 14:53:35 发布自福建，悬赏 10 积分
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