High Field Effect Mobility, Amorphous In-Ga-Sn-O Thin-Film Transistor With No Effect of Negative Bias Illumination Stress

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标题	High Field Effect Mobility, Amorphous In-Ga-Sn-O Thin-Film Transistor With No Effect of Negative Bias Illumination Stress
网址	http://dx.doi.org/10.1109/led.2019.2931089
DOI	10.1109/led.2019.2931089 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Jiseob Lee; Dongjin Kim; Suhui Lee; Johann Cho; Hyungryul Park; et al 出版日期：2019-09-01
求助人	赵国鑫在 2026-09-09 10:44:08 发布自湖北，悬赏 10 积分
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Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

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