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标题
Double patterning with dual hard mask for 28-nm node devices and below
适用于28nm及以下节点器件的双硬掩模双图案化
相关领域
多重图案 薄脆饼 材料科学 临界尺寸 光电子学 蚀刻(微加工) 表面光洁度 无定形固体 线条宽度 纳米技术 图层(电子) 光学 抵抗 化学 复合材料 结晶学 物理
网址
DOI
10.1117/1.jmm.12.4.041306 doi
其它 期刊:Journal of Micro/Nanolithography MEMS and MOEMS
作者:Hubert Hody; Vasile Paraschiv; E. Vecchio; S. Locorotondo; Gustaf Winroth; et al
出版日期:2013-10-01
求助人
不一 在 2025-06-04 19:26:31 发布自安徽,悬赏 20 积分
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