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标题
Effect of Transistor Density and Charge Sharing on Single-Event Transients in 90-nm Bulk CMOS
晶体管密度和电荷共享对90nm体CMOS单事件瞬态的影响
相关领域
晶体管 CMOS芯片 费用分摊 瞬态（计算机编程） 材料科学 光电子学 单事件翻转 重离子 电压 电气工程 物理 离子 工程类 计算机科学 静态随机存取存储器 操作系统 量子力学
网址
https://doi.org/10.1109/tns.2011.2168425
DOI
10.1109/tns.2011.2168425 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science
作者：N. M. Atkinson; Jonathan R. Ahlbin; Arthur F. Witulski; N. J. Gaspard; W.T. Holman; et al
出版日期：2011-10-13
求助人
李沐唅 在 2025-05-15 16:04:32 发布自贵州，悬赏 10 积分
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