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标题
High Aspect Ratio β-Ga2O3 Fin Arrays with Low-Interface Charge Density by Inverse Metal-Assisted Chemical Etching
反向金属辅助化学刻蚀低界面电荷密度的高纵横比β-Ga2O3鳍阵列
相关领域
材料科学 电荷（物理） 金属 反向 蚀刻（微加工） 电荷密度 各向同性腐蚀 纳米技术 纵横比（航空） 光电子学 物理 几何学 图层（电子） 数学 量子力学 冶金
网址
https://doi.org/10.1021/acsnano.9b01709
AI链接 nih.govdoi.org
DOI
10.1021/acsnano.9b01709 doi
其它 期刊：ACS Nano
作者：Hsien-Chih Huang; Munho Kim; Xun Zhan; Kelson D. Chabak; Jeong Dong Kim; et al
出版日期：2019-06-17
求助人
春晓 在 2025-05-07 23:02:11 发布自浙江，悬赏 10 积分
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